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            保證IGBT的安全工作條件是什么?
            芯能半導體 芯能半導體 Loading... 2018-12-03

            1、驅動電路:由于IGBT的UCE(sat)和短路耐量之間的折衷關系,建議將柵極電壓選為+UG=15V±10%,—UG =5~10V。柵極電阻與IGBT的開通和關斷特性密切相關,RG小時開關損耗減少,開關時間縮短,關斷脈沖電壓增大。應根據浪涌電壓和開關損耗的最佳折衷關系(與頻率有關)選擇合適的RG值,一般選為10~27Ω。為防止柵極開路,在柵極與發射極問并聯20~30kΩ的電阻。

            2、保護電路: IGBT模塊使用在高頻時,布線電感容易產生尖峰電壓,必須注意布線電感和組件的配置。應設的保護項目有:過電流保護、過電壓保護、柵極過壓及欠壓保護、安全工作區、過熱保護。

            3、吸收電路:由于IGBT開關速度快,容易產生浪涌電壓,所以必須設有浪涌鉗位電路。

            4、IGBT 并聯使用時應考慮柵極電路的線路布線、電流不平衡和器件之間的溫度不平衡等問題。

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