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     	深圳芯能半導體技術有限公司
        
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            032018-12
            

            

            什么是溝槽柵極結構(Trench)IGBT?
            

            
到目前為止，所有的IGBT設計都有一個共同點平面柵極結構。這種形狀的柵極形成一個前文所述的JFET結構，以及發射極區軟弱的電導調制效應。對于平面柵極的IGBT,載流子的濃度從集電極到發射極之間逐步降低。新一代IGBT..
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